基于 COMSOL 的 HVPE 法 GaN 单晶生长过程模拟

兰飞飞 [1],
[1] 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,中国
Опубликовано в 2016

利用 COMSOL Multiphysics® 软件中流体传热接口、层流接口、化学反应接口对 HVPE 法单晶生长过程进行模拟。建立了基于 HVPE 生长室内部结构的简单二维模型,并进行了标准的网格剖分,通过物理场耦合,并添加了生长过程中所需的生长气氛,研究了 HVPE 法进行 GaN 单晶生长过程中衬底表面厚度分布的变化规律。通过模拟结果发现,衬底表面存在显著的边缘效应,边缘处厚度显著高于衬底表面其它区域。

Загрузить