Моделирование полупроводниковых устройств в COMSOL Multiphysics®

Продолжительность: 1:13:49

В данном видео вы познакомитесь с модулем Полупроводники, который позволяет проводить анализ работы полупроводниковых устройств на фундаментальном физическом уровне.

Реализованные в модуле инструменты позволяют в рамках макроскопического описания численно моделировать перенос носителей тока (электронов и дырок) в полупроводниковых материалах под влиянием электростатических полей. Возможен учет специфических моделей подвижности, ловушек, рассеяния, туннелирования, ионизации, сужения запрещенных зон, рекомбинации и генерации носителей заряда, а также мультифизических эффектов нагрева и оптоэлектронных взаимодействий.

Кроме того, доступны интерфейсы для описания квантовых систем на основе уравнения Шредингера, в т.ч. совместно с уравнением Пуассона.

Возможности COMSOL Multiphysics® позволяют пользователям проектировать и исследовать ряд практически используемых приборов, примеры которых будут продемонстрированы в рамках вебинара: p-n переходы, биполярные транзисторы, полевые транзисторы со структурой металл-полупроводник (MESFET), полевые транзисторы со структурой металл-оксид-полупроводник (MOSFET), МОП-конденсаторы, диоды Шоттки, солнечные элементы, фото- и светодиоды и т.п. Среди примеров квантовомеханических систем следует отметить квантовые ямы, точки, барьеры, нити и т.п.

Если Вас заинтересовали описанные в видео задачи и Вам интересно более подробно ознакомиться с нашим ПО, просто свяжитесь с нами для получения информации о всех его возможностях и ценах.

Оглавление

Введение (0:00) Общий функционал модуля Полупроводники и области его применения (4:40) Интерфейс Semiconductor: формулировка уравнений (9:14) Интерфейс Semiconductor: Дискретизация (10:23) Интерфейс Semiconductor: Статистика носителей (13:15) Интерфейс Semiconductor: Легирование (13:46) Интерфейс Semiconductor: Модели подвижности (14:14) Интерфейс Semiconductor: Генерация и рекомбинация (15:07) Интерфейс Semiconductor: Ловушки (16:18) Интерфейс Semiconductor: Оптические переходы (16:43) Интерфейс Semiconductor: Неполная ионизация (17:21) Интерфейс Semiconductor: Сужение запрещенных зон (17:38) Интерфейс Semiconductor: Граничные условия (18:04) Интерфейс Semiconductor: Туннелирование (19:13) ДЕМО: Расчет характеристик МОП-транзистора с изолированным затвором (20:21) Интерфейс Semiconductor: Рекомендации по сетке и настройке расчетов (46:15) Дополнительные примеры моделей (51:55) Мультифизика: Неизотермические расчеты (55:16) Мультифизика: Полупроводниковая оптоэлектроника – связка с модулем Волновая Оптика (56:14) Интерфейс Schrödinger Equation: формулировка, примеры и связка с электростатикой (57:00) Заключение, контактная информация, Q&A (1:01:03)